韓國政府在“超創(chuàng)新經(jīng)濟(jì)項目”（Ultra-Innovation Economy Project）框架下宣布，將投入約5000億韓元（約合3.29億美元）用于新一代功率半導(dǎo)體的研發(fā)和量產(chǎn)，目標(biāo)是把這一領(lǐng)域培育為與存儲芯片DRAM相當(dāng)?shù)摹艾F(xiàn)金?！碑a(chǎn)業(yè)。

報道稱，總投入規(guī)模未來有望擴(kuò)大至7500億韓元（約合4.94億美元），相關(guān)路線圖討論會議由韓國副總理兼企劃財政部長官具潤喆主持，各方就前沿功率半導(dǎo)體的商業(yè)化時間表和推進(jìn)路徑展開磋商。

隨著大規(guī)模人工智能數(shù)據(jù)中心的快速擴(kuò)張，功率半導(dǎo)體的重要性被認(rèn)為“無可替代”。由于AI算力集群對供電穩(wěn)定性和能效提出了極高要求，功率器件在電源轉(zhuǎn)換、功率管理和電網(wǎng)穩(wěn)定等環(huán)節(jié)發(fā)揮核心作用，被視為保障數(shù)據(jù)中心長時間高負(fù)載運行的關(guān)鍵基礎(chǔ)器件。報道指出，隨著可再生能源在電力系統(tǒng)中的比重持續(xù)提升，功率半導(dǎo)體在穩(wěn)定電網(wǎng)、提升電能質(zhì)量方面的作用也愈發(fā)凸顯，有望在能源基礎(chǔ)設(shè)施升級中扮演更重要角色。

本次規(guī)劃中的功率半導(dǎo)體不僅面向AI數(shù)據(jù)中心，還瞄準(zhǔn)能源、交通和國防等更廣泛的應(yīng)用場景。在技術(shù)路徑上，先進(jìn)的碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等材料器件被視為突破口，這類器件在高溫、高壓和高頻環(huán)境下相較傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體具備更優(yōu)性能，適用于電動車、電網(wǎng)設(shè)備、工業(yè)驅(qū)動、航空航天及高端國防裝備等領(lǐng)域。分析人士認(rèn)為，若能在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域形成規(guī)模化制造和技術(shù)優(yōu)勢，將有助于提升韓國在上述戰(zhàn)略行業(yè)的整體競爭力。

報道指出，韓國目前在存儲芯片特別是DRAM領(lǐng)域具有全球領(lǐng)先優(yōu)勢，三星電子和SK海力士等廠商在這一市場長期受益。但在功率半導(dǎo)體方面，韓國對海外供應(yīng)商的依賴度仍然較高，政府層面擔(dān)心這一短板若不及時彌補，將在未來產(chǎn)業(yè)競爭和供應(yīng)鏈安全中演變?yōu)橹卮箫L(fēng)險。正因如此，政府選擇通過大規(guī)模研發(fā)支持和政策引導(dǎo)，推動本土企業(yè)及上下游產(chǎn)業(yè)鏈快速切入并做大市場。

按照規(guī)劃，韓國政府希望通過“材料—器件—模塊—系統(tǒng)驗證”一體化的方式推進(jìn)研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化，以縮短從實驗室技術(shù)到量產(chǎn)產(chǎn)品之間的時間差。這一“打包式”推進(jìn)模式旨在在同一項目周期內(nèi)完成關(guān)鍵材料開發(fā)、器件設(shè)計制造、模塊整合以及實際系統(tǒng)場景中的示范應(yīng)用，從而加速技術(shù)成熟和商業(yè)落地節(jié)奏。政府也要求未來在AI數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域需要大量功率半導(dǎo)體的企業(yè)，盡早參與到研發(fā)和驗證環(huán)節(jié)，以便產(chǎn)品在設(shè)計之初就能對接實際需求并實現(xiàn)規(guī)?；渴稹?/p>

隨著全球AI基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)進(jìn)入新階段，AI大模型訓(xùn)練和推理集群對電力和散熱的需求持續(xù)攀升，功率半導(dǎo)體被視為提升整體系統(tǒng)能效和降低運營成本的關(guān)鍵抓手。在此背景下，韓國試圖在存儲芯片之外再開辟一個具有高附加值和長周期需求的“新柱狀產(chǎn)業(yè)”，以延續(xù)并擴(kuò)展其在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中的優(yōu)勢地位。報道最后指出，隨著這一大額研發(fā)計劃的正式啟動，韓國在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域能否復(fù)制存儲芯片的成功，將成為全球半導(dǎo)體行業(yè)未來數(shù)年關(guān)注的焦點之一。